Добро пожаловать в Shenzhen Booming Microelectronics Co., Ltd.
информације
Что следует учитывать при использовании быстрых восстанавливающих диодов Si?
Время выпуска:
2024-04-07
Силиконовый диод быстрого восстановления(Силиконовый диод быстрого восстановления, сокращенно Si-FRD) — это диод, специально разработанный для приложений с высокоскоростным переключением, характеризующийся высокой скоростью и коротким временем обратного восстановления. В практических приложениях, чтобы обеспечить его стабильную и эффективную работу, необходимо учитывать следующие моменты при использовании диодов Si-FRD:
Процесс прямого восстановления Si-FRD часто упускается из виду, но этот процесс имеет значительное влияние на производительность цепи. Особенно когда прямое напряжение слишком высоко, это может привести к потере функции буферной цепи. Поэтому при проектировании цепи следует полностью учитывать диапазон прямого напряжения, чтобы избежать негативного влияния на производительность Si-FRD из-за чрезмерного прямого напряжения.
Процесс обратного восстановления также является ключевым моментом, на который необходимо обратить внимание. В цепях высокочастотной выпрямления обратная проводимость диода в течение времени обратного восстановления может вызвать выход отрицательной волны напряжения, тем самым снижая среднее значение выпрямленного выходного напряжения. Поэтому при выборе Si-FRD следует обращать внимание на его характеристики обратного восстановления, чтобы гарантировать, что он может соответствовать требованиям производительности в приложениях.
Когда Si-FRD используются последовательно, также необходимо решить проблему динамического распределения напряжения во время обратного блокирования. Из-за несоответствия характеристик обратного восстановления некоторые диоды могут мгновенно нести общее последовательное напряжение. Чтобы избежать этой ситуации, следует принять соответствующие меры динамического распределения напряжения, такие как параллельные конденсаторы.
Хотя потери мощности, вызванные периодом восстановления Si-FRD, относительно невелики, количество потерь может варьироваться в разных цепях. Поэтому при расчете общих потерь диода не следует упускать из виду потери мощности в период восстановления.
Выбор подходящей модели Si-FRD на основе фактических требований приложения также важен. Например, ультравысокоскоростные Si-FRD имеют более низкий обратный ток восстановления, что подходит для коррекции коэффициента мощности (PFC) в непрерывном режиме, в то время как ультравысокие прямые напряжения Si-FRD подходят для критического режима PFC с пиковым током.
В заключение, при использовании диодов Si Fast Recovery следует обращать внимание на такие аспекты, как процесс прямого восстановления, характеристики обратного восстановления, проблемы динамического распределения напряжения, потери мощности и выбор модели. Только полностью учитывая эти факторы, можно добиться оптимальной работы диода Si Fast Recovery в цепи.
Предыдущая страница
КО. микроэлектроники Шэньчжэня процветая, Лтд.
-
Коммутатор компании:0755-22665632
Факс: 0755 - 22665632-808
Контакты Телефон:18826585566Г-н Хуан
Деловая электронная почта:Boomingmicro@126.com
Адрес: Комната 1201, здание венчурного капитала, дорога Но.9 Тенфэй, улица Лонгченг, район Лонганг, Шэньчжэнь
Сосредоточьтесь на нас
Copyright Шэньчжэнь бум микроэлектроники Co., Ltd.