Добро пожаловать в Shenzhen Booming Microelectronics Co., Ltd.
информације
Введение в знания о диодах быстрого восстановления на основе кремния
Время выпуска:
2024-03-15
Si диод с быстрым восстановлением(FRD: диод с быстрым восстановлением) — это тип диода с быстрым временем восстановления. Он имеет низкое время восстановления и высокую рабочую частоту, что делает его широко используемым в высокочастотных электронных устройствах. Его основная функция проявляется в выпрямлении и переключении источников питания, эффективно уменьшая потери при переключении и тепловые потери, тем самым улучшая эффективность выпрямления и преобразования.
В выпрямителях Si диод с быстрым восстановлением может преобразовывать переменный ток в постоянный, достигая выпрямления. В источниках питания с переключением Si диод с быстрым восстановлением широко используется в выходных выпрямительных цепях, где его быстрое время восстановления помогает уменьшить потери при переключении и снизить потребление энергии.
Однако Si диод с быстрым восстановлением генерирует большой импульсный ток в момент переключения с прямого на обратный, что приводит к значительным потерям. Это происходит потому, что носители меньшинства, накопленные в слое дрейфа во время прямой проводимости, продолжают проводить электричество, пока не исчезнут. Чем больше прямой ток или выше температура, тем больше время восстановления и ток восстановления, что приводит к увеличению потерь.
В последние годы, с развитием технологий, начали появляться новые материалы, такие как SiC-SBD (диод Шоттки на основе карбида кремния). По сравнению с Si диодами с быстрым восстановлением, SiC-SBD имеют более низкие потери при восстановлении, что полезно для повышения эффективности источников питания. Они также могут достичь миниатюризации пассивных компонентов, таких как индуктивности, за счет высокочастотного привода, одновременно снижая уровень шума.
Пожалуйста, обратите внимание, что конкретный выбор и применение Si диодов с быстрым восстановлением должны рассматриваться на основе конкретного проектирования схемы и рабочего окружения. Кроме того, при использовании новых диодов, таких как SiC-SBD, важно быть осведомленным о различиях в производительности и работе по сравнению с Si диодами с быстрым восстановлением, чтобы обеспечить правильное и эффективное использование.
КО. микроэлектроники Шэньчжэня процветая, Лтд.
-
Коммутатор компании:0755-22665632
Факс: 0755 - 22665632-808
Контакты Телефон:18826585566Г-н Хуан
Деловая электронная почта:Boomingmicro@126.com
Адрес: Комната 1201, здание венчурного капитала, дорога Но.9 Тенфэй, улица Лонгченг, район Лонганг, Шэньчжэнь
Сосредоточьтесь на нас
Copyright Шэньчжэнь бум микроэлектроники Co., Ltd.