1. Резистор

Резисторы можно считать наиболее часто используемыми электронными компонентами в схемотехнике, обозначаемыми буквой R, которая характеризует сопротивление току проводником. Их основные функции в цепи — деление тока, ограничение тока, деление напряжения и смещение.

Идентификация параметров резистора: обычно используемые методы включают цветовой код, маркировку значений и числовую маркировку.

Наиболее распространенным методом является метод цветового кода, где первые и вторые кольца представляют первые две цифры значения сопротивления; третье кольцо представляет множитель; а четвертое кольцо представляет допуск. Например, когда четыре цветных кольца желтые, оранжевые, красные и золотые, поскольку третье кольцо красное, значение сопротивления находится в диапазоне нескольких кОм. Подставляя числа, представленные желтым и оранжевым, которые равны "4" и "3", показание будет 4.3 кОм. Золотое кольцо указывает на допуск 5%.

2. Конденсатор

Конденсаторы используются в цепях для хранения заряда и электрической энергии, обозначаемые буквой C. Основная характеристика конденсатора заключается в том, что он пропускает переменный ток, блокируя постоянный. Сопротивление переменному току называется реактивным сопротивлением, которое является типом импеданса (другой тип — индуктивное реактивное сопротивление). Величина реактивного сопротивления связана с частотой переменного тока и его собственной емкостью. Основные функции конденсаторов в цепях — это соединение, фильтрация, резонанс, обход, компенсация и деление частоты.

Представление параметров конденсаторов также включает прямую маркировку, комбинацию текста и символов, а также цветовой код.

Его модель состоит из четырех частей, что не относится к варисторам, переменным конденсаторам и вакуумным конденсаторам, представляющим название, материал, классификацию и серийный номер соответственно.

Классификация конденсаторов довольно сложна. Согласно текущему статистическому анализу, существует 10 методов классификации, которые можно найти в руководстве устройства.

В настоящее время ведутся исследования суперконденсаторов, которые являются конденсаторами с емкостью в тысячи фарад, использующими принцип двойного слоя и пористые электроды из активированного угля.

3. Кристаллический диод

Полупроводниковое устройство с нелинейными вольт-амперными характеристиками, обозначаемое буквой D, в основном служит для односторонней проводимости. Основная часть — это PN-переход, широко используемый в различных электронных схемах. Существует много типов, классифицируемых по материалу на кремниевые и германиевые; по функции на выпрямляющие, светодиоды, детекторы, стабилизаторы напряжения, переключатели, поддерживающие, диоды Шоттки и кремниевые силовые диоды. Их также можно классифицировать по структуре на точечные и планарные типы. Первые могут обрабатывать малые токи, в то время как последние могут обрабатывать большие токи.

Основные параметры диодов включают максимальный выпрямленный ток IF, максимальное обратное рабочее напряжение, обратный ток, динамическое сопротивление, максимальную рабочую частоту и температурный коэффициент напряжения.

У диода есть два вывода: положительный вывод A называется анодом, а отрицательный вывод K называется катодом. Ток может течь только от анода к катоду. Многие начинающие путают диоды с полупроводниками; на самом деле диоды и полупроводники совершенно разные, и можно лишь сказать, что диод — это тип полупроводникового устройства.

Идентификация диодов: N-вывод (отрицательный вывод) маломощных диодов чаще всего маркируется цветным кольцом на внешней стороне. Некоторые диоды также используют специальные символы для обозначения P-вывода (положительный вывод) или N-вывода (отрицательный вывод), а некоторые используют символы "P" и "N" для определения полярности диода. Положительные и отрицательные выводы светодиодов можно определить по длине выводов, при этом более длинный вывод является положительным, а более короткий — отрицательным. При измерении диода с помощью цифрового мультиметра подключите красный щуп к положительному выводу и черный щуп к отрицательному выводу; сопротивление, измеренное в это время, является сопротивлением прямого проводимости диода, что точно противоположно методу подключения для аналогового мультиметра.

 

4. Индуктивность

Индуктивность — это устройство, которое преобразует электрическую энергию в магнитную для хранения, с конструкцией, аналогичной трансформатору. Индуктивности также известны как дроссели, реакторы или динамические реакторы, обозначаемые буквой L.

Классификация: в зависимости от метода индукции существуют самоиндукция и взаимная индукция. Малые индуктивности могут быть непосредственно травлены на печатных платах с использованием метода, который укладывает спиральную дорожку. Индуктивности малых значений также могут быть изготовлены с использованием того же процесса, что и транзисторы в интегральных схемах. Независимо от используемого метода, наиболее часто применяемая схема называется "ротором", который демонстрирует те же характеристики, что и индуктивные компоненты, использующие конденсатор и активные компоненты.

Характеристики индуктивностей точно противоположны характеристикам конденсаторов; они обладают свойством блокировать переменный ток, позволяя постоянному току проходить свободно, известным как пропускание постоянного тока и блокировка переменного.

Индуктивности в основном выполняют функции, такие как фильтрация, колебание, задержка, фильтрация по вырезу, а также выбор сигналов, фильтрация шума, стабилизация тока и подавление электромагнитных помех. Наиболее распространенной функцией является формирование LC-фильтра вместе с конденсаторами.

Основные параметры индуктивностей включают индуктивность, допустимую ошибку, качество и распределенную емкость.

 

5. Кристаллический транзистор

Транзисторы, официально известные как полупроводниковые транзисторы, также называемые биполярными транзисторами или кристаллическими транзисторами, являются полупроводниковыми устройствами, которые контролируют ток и являются основными компонентами электронных схем.

Транзисторы изготавливаются на полупроводниковой подложке с двумя близко расположенными PN-переходами, разделяющими весь полупроводник на три части: средняя часть — это базовая область, а две боковые части — это область эмиттера и область коллектора, расположенные в конфигурации PNP или NPN.

Транзисторы имеют эффект усиления тока; по сути, транзистор может контролировать большое изменение тока коллектора с небольшим изменением тока базы. Это наиболее основная и важная характеристика транзисторов. Соотношение ΔIc/ΔIb называется коэффициентом усиления тока транзистора, обозначаемым символом "β". Коэффициент усиления тока является постоянным значением для конкретного транзистора, но может изменяться с изменениями тока базы в процессе работы.

Основные параметры включают характеристическую частоту FT, напряжение и ток, усиление, напряжение насыщения и рассеяние мощности.

Транзисторы могут работать в состояниях отсечки, усиления и проводимости. Наиболее распространенное использование транзисторов — это формирование усилительных схем, при этом базовая усилительная схема является наиболее фундаментальной структурой в усилительных схемах, служащей основной единицей для построения сложных усилительных схем. Она использует характеристику биполярных полупроводниковых транзисторов, где входной ток контролирует выходной ток, или характеристику полевых транзисторов, где входное напряжение контролирует выходной ток, для достижения усиления сигнала. Во время усиления требуется соответствующее смещение, что означает, что переход эмиттера смещен вперед, а переход коллектора — обратно. Настройка входной схемы должна соединять входной сигнал с входным электродом транзистора, формируя изменяющийся базовый ток, тем самым создавая зависимость управления током транзистора, что приводит к изменениям тока коллектора. Настройка выходной схемы должна обеспечивать, чтобы токовый сигнал, усиленный транзистором, был преобразован в форму электрической величины, необходимой для нагрузки.

Полевой транзистор

Полевой транзистор, сокращенно FET, также известен как полевой эффектный транзистор. Существует два основных типа: JFET (переходный FET) и MOSFET (металлооксидный полупроводниковый FET). Его также называют униполярным транзистором, который является полупроводниковым устройством, управляемым напряжением.

Полевой эффектный транзистор (FET) — это полупроводниковое устройство, которое использует эффект электрического поля управляющей входной цепи для контроля тока выходной цепи, что и дало ему название. FET управляет ID (током стока) через VGS (напряжение затвор-исток). В одном предложении принцип работы FET: "ID, протекающий через канал между стоком и истоком, контролируется обратным смещением напряжения затвора, образованным pn-переходом между затвором и каналом."

Функция: FET могут использоваться для усиления. Благодаря высокому входному импедансу усилителей FET, конденсаторы связи могут быть меньшей емкости, и нет необходимости использовать электролитические конденсаторы. Высокий входной импеданс FET очень подходит для преобразования импеданса, обычно используется на входном этапе многокаскадных усилителей для преобразования импеданса, может использоваться в качестве переменных резисторов, удобно использовать в качестве источников постоянного тока и в качестве электронных переключателей и т. д.

Существует два метода наименования. Первый метод наименования такой же, как у биполярных транзисторов, где третья буква J обозначает переходный FET, а O обозначает FET с изолированным затвором. Вторая буква обозначает материал: D — это кремний p-типа с инверсионным слоем n-канала; C — это кремний n-типа с p-каналом. Например, 3DJ6D — это переходный p-канальный FET, а 3DO6C — это FET с изолированным затвором n-канала. Второй метод наименования — CS××#, где CS обозначает FET, ×× — это число, представляющее номер модели, а # — это буква, представляющая различные спецификации в одной модели. Например, CS14A, CS45G и т. д.

FET имеют такие характеристики, как высокий входной импеданс, низкий уровень шума, хорошая термостабильность и простые процессы производства, и используются в крупномасштабных и ультракрупномасштабных интегральных схемах.

Резюме

Сегодня я представил шесть часто используемых электронных компонентов в электронных схемах, которые вместе образуют сложные схемы.

 

Отказ от ответственности:Эта статья воспроизведена из интернета, и авторские права принадлежат оригинальному автору. Если есть какие-либо проблемы с авторскими правами на работу, пожалуйста, свяжитесь с нами своевременно для удаления. Спасибо!